RikamIno - Radon-Ionisationskammer Break-Out für den Arduino

[opengeiger.de]

@silfox : Wenn Du den PN4117A bestellt hättest, dann hättest Du nur 3.40Euro bezahlt, den SMP 4117A gibts sogar für 2.73Euro, drum hatte ich geschrieben, dass sich der Preis je nach Gehäusetyp 2N, PN und SMP unterscheidet. Nur der 2N4117A  kostet 15.77Euro netto. Aber der 2N4117A hat auch einen Vorteil, er ist in einem hermetisch dichten Gehäuse untergebracht und man bekommt einen Pin um das Gehäuse an Masse zur Schirmung anzuschliessen. Aber es freut mich dass Deine Konstruktion auf Anhieb funktioniert hat. Ich muss zugeben, da ich noch nicht wusste, wie das ganze rauskommt, habe ich meinen Prototypen-Ansatz äusserst pragmatisch gemacht. Man kann es sicher besser und solider machen. Dein Ansatz ist sicher robuster. Was bekommst Du als Zeit für eine Nullmessung?

@Radioquant98 : Ich will Dich gewiss nicht von Deiner Meinung abbringen. Es ist halt so, dass das Gate durch den Ionisationsstrom nicht ganz auf 5V geht, vermutlich weil sich der Ionisationsstrom und der Sperrstrom ins Gate vorher die Waage halten.Wenn nun der Mikrocontroller auf Ausgang schaltet und den Source-Pin "High" legt, dann entspricht das 5V, daher liegt der Source kurzfristg höher als das Gate und das polt den Gate-Kanal pn-Übergang um und dadurch fliesst die Gate Ladung ab. So interpretiete ich das Geschehen. Man sieht das auch in der Simulation mit LTSpice sehr gut, wenn man mit hoher zeitlicher Auflösung simuliert und sich den Gatestrom zu dem Zeitpunkt genau in dem Bereich anschaut, wo der Source-Anschluss auf 5V geht. Da sieht man einen mehrere Ampere hohen Spike, der nach ein paar ns exponentiell abklingt. Dass dieser Entladungsstom in der von mir gezeigten  Simulation so hoch ist, liegt daran, dass ich den Mikrocontroller Ausgang über einen niederohmigen Switch an den Source schalte. In Realität ist dieser Strom durch den Mikrocontroller IO auf wenige mA begrenzt. Das reicht jedoch um Gate zu entladen. Aber mich würde es auch interessieren, ob es mit einem MOSFET auch geht. Vielleicht geht das sogar noch besser, wer weiß? Ich bin nur dieser Veröffentlichung mit dem JFET einfach gefolgt und da ist es ja auch genauso beschrieben. Und DG0MG hat einen Vorschlg von Charles Wenzel bei techlib gefunden, der im Prinzip dasselbe Frontend beschreibt. Daher war zumindest die Wahrscheinlichkeit gross, dass der JFET Ansatz relativ sicher geht. Aber das muss nicht heissen, dass ein MOSFET nicht auch geht! Versuche das doch mal!

@Peter-1 : Ich kanns mal mit höherer Spannung versuchen. Aber die 20V haben halt den Charme, dass man das sehr einfach mit zwei 9V Blocks hinbekommt und da der Strom ja suuuper klein ist, halten die Batterien ja quasi ewig. Und ein altes Laptop Netzteil mit 19V geht genauso, das hat man oft vom letzten ausrangierten Laptop übrig.

[Radioquant98]

Hallo opengeiger,

danke für deine Aufklärung. Ich kenne mich zwar gut mit Elektronik aus, aber bei der "black box" genannt Prozessor ist schluß. Ich sehe dann nur noch die äußere Beschaltung, aber nicht mehr, was sich da tut

Mit Kammern habe ich mich praktisch noch garnicht befaßt - auch mit deiner Schaltung nicht - mich interessiert aber die eigentliche Funktion, denn ich bin kein sturer Nachbauer. Oft läßt sich gleiche Funktion auch anders erreichen.
In den Kammern von MKD wurden immer MOSFET ohne Gatschutzdioden eingesetzt. Deren konkrete Funktion habe ich aber auch noch nicht ergründet.
Aber diese MOSFET zum Beispiel der SMY60 und SMY62 sind äußerst hochohmig und der Vorteil - es sind gleich Zwei Gleiche drin, gut für Differenzverstärker.
Ich habe die Leckströme der SMY zu deinen SFET aber auch noch nicht verglichen(im Moment baue ich noch an der Szintisonde)
Aber so nebenbei befasse ich mich eben auch damit, gerade wenn ein Beitrag darüber erscheint.

Noch eine Bitte: könntest Du was wie ausgewertet wird mal etwas näher beschreiben ?

Viele Grüße
Bernd