Meine Frau hatte heute einen Termin zum DaTSCAN (https://en.wikipedia.org/wiki/DaT_scan). Dabei wird mit Iod-123 gearbeitet. Die injizierte Aktivität liegt im Bereich von 100 MBq.

Sechs Stunden nach Injektion des Präparats zeigte der RadiaCode-103 folgende Werte an. Das Gerät lag dabei auf dem Bauch.

Dosisleistung:
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Zählrate:
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Spektren folgen morgen.

Der ultimative Strahlungsdetektor Guide - Praktikum Nuklearchemie

Simons Chemiebaukasten

@silfox : Wenn Du den PN4117A bestellt hättest, dann hättest Du nur 3.40Euro bezahlt, den SMP 4117A gibts sogar für 2.73Euro, drum hatte ich geschrieben, dass sich der Preis je nach Gehäusetyp 2N, PN und SMP unterscheidet. Nur der 2N4117A  kostet 15.77Euro netto. Aber der 2N4117A hat auch einen Vorteil, er ist in einem hermetisch dichten Gehäuse untergebracht und man bekommt einen Pin um das Gehäuse an Masse zur Schirmung anzuschliessen. Aber es freut mich dass Deine Konstruktion auf Anhieb funktioniert hat. Ich muss zugeben, da ich noch nicht wusste, wie das ganze rauskommt, habe ich meinen Prototypen-Ansatz äusserst pragmatisch gemacht. Man kann es sicher besser und solider machen. Dein Ansatz ist sicher robuster. Was bekommst Du als Zeit für eine Nullmessung?

@Radioquant98 : Ich will Dich gewiss nicht von Deiner Meinung abbringen. Es ist halt so, dass das Gate durch den Ionisationsstrom nicht ganz auf 5V geht, vermutlich weil sich der Ionisationsstrom und der Sperrstrom ins Gate vorher die Waage halten.Wenn nun der Mikrocontroller auf Ausgang schaltet und den Source-Pin "High" legt, dann entspricht das 5V, daher liegt der Source kurzfristg höher als das Gate und das polt den Gate-Kanal pn-Übergang um und dadurch fliesst die Gate Ladung ab. So interpretiete ich das Geschehen. Man sieht das auch in der Simulation mit LTSpice sehr gut, wenn man mit hoher zeitlicher Auflösung simuliert und sich den Gatestrom zu dem Zeitpunkt genau in dem Bereich anschaut, wo der Source-Anschluss auf 5V geht. Da sieht man einen mehrere Ampere hohen Spike, der nach ein paar ns exponentiell abklingt. Dass dieser Entladungsstom in der von mir gezeigten  Simulation so hoch ist, liegt daran, dass ich den Mikrocontroller Ausgang über einen niederohmigen Switch an den Source schalte. In Realität ist dieser Strom durch den Mikrocontroller IO auf wenige mA begrenzt. Das reicht jedoch um Gate zu entladen. Aber mich würde es auch interessieren, ob es mit einem MOSFET auch geht. Vielleicht geht das sogar noch besser, wer weiß? Ich bin nur dieser Veröffentlichung mit dem JFET einfach gefolgt und da ist es ja auch genauso beschrieben. Und DG0MG hat einen Vorschlg von Charles Wenzel bei techlib gefunden, der im Prinzip dasselbe Frontend beschreibt. Daher war zumindest die Wahrscheinlichkeit gross, dass der JFET Ansatz relativ sicher geht. Aber das muss nicht heissen, dass ein MOSFET nicht auch geht! Versuche das doch mal!

@Peter-1 : Ich kanns mal mit höherer Spannung versuchen. Aber die 20V haben halt den Charme, dass man das sehr einfach mit zwei 9V Blocks hinbekommt und da der Strom ja suuuper klein ist, halten die Batterien ja quasi ewig. Und ein altes Laptop Netzteil mit 19V geht genauso, das hat man oft vom letzten ausrangierten Laptop übrig.

Ein wenig klarer wird die HV ja schon, aber Fragen bleiben.

Zur Simulation von hohen CPM habe ich direkt zwischen Anode und Kathode Widerstände von 100 ... 1000 MOhm und offen (=unendlich) angeschlossen. Die Tube habe ich verdunkelt wg deren Lichtempfindlichkeit. Dann habe ich die jeweils aktuelle Anoden-Spannung gemessen und die Pseudo-CPM berechnet wie im letzten Post.

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Nehmen wir die obersten 4 Einträge in der Legende. Alle 4 mit Freq=5000Hz und zunehmendem Duty Cycle von 24.25% ... 35%. Mit zunehmendem DC steigt die Spannung. Das scheint plausibel, denn der HV-Generator braucht Energie, und die mittlere Stromzufuhr, und somit Energie, steigt mit dem DC.

Alle Kurven verlaufen parallel. Aus den Kurven kann ich den Innenwiderstand berechnen, der bei den ersten 4 bei ziemlich genau 23 MOhm liegt. Über alle Messungen hinweg variiert der Innenwiderstand von 20 ... 26 MOhm. Ein hoher Wert also, aber durchaus ähnlich zu anderen Systemen im Counter Umfeld.

Die weiteren Kurven zeigen interessante jedoch unverständliche Ergebnisse der Frequenz (F) Variation. Die mittlere Strommenge ist bei festem Duty Cycle (DC) doch dieselbe, egal ob ich sie mit 1000 oder 10000Hz liefere? Der GC-01 scheint anderer Meinung zu sein, immerhin unterscheiden sich die HV bis zum Faktor 2! Kann jemand erklären, was da passiert?

Mit verschiedenen DC und F Kombinationen kann ich dieselben Spannungen erreichen, siehe #1 und #5 in der Legende. Keine der Kombinationen scheint aber "besser" zu sein, also niedrigeren Innenwiderstand zu liefern.

Und da alles linear und parallel ist gilt für jede Einstellung: pro CPM=10000 gibt es 50V Spannungsabfall. Für eine M4011 / J321 scheint mir ein guter Kompromiss #3 (5000Hz/31%) zu sein, welcher für eine Spannung von 470 runter bis 380V sorgt.

Derartige Spannungs-Vervielfacher Schaltungen sind üppig verbreitet. Doch technisch-wissenschaftliche Veröffentlichungen habe ich keine gefunden; alles im wesentlichen Wikipedia. Es muss doch Studien/Modelle geben, die Einfluss von F und DC beschreiben? Spielt die Schärfe der Flanke nicht auch eine Rolle, da die Induktionsspannung proportional zu dI/dt ist?

Ich kenne auch nur größere Spannungen > 100 V. Mein kleiner Eigenbau hat 120 V bei einer Kammer mit 120 ccm. 10µSv/h erzeugen ~ 10fA. Ich hatte den ICL 8500A genommen und einen Hochohmwiderstand mit 10-11 Ohm, aber das ist schon viele Jahre her. Heute geht es besser. Allerdings funktioniert das Gerät noch wie es soll.

Mich würde noch interessieren, welchen Einfluss die Kammerspannung hat. Mir erscheinen 20 Volt etwas wenig. Ich meine, in den kommerziellen Geräten mit Ionisationskammer ist ein Transverter drin, der eine erheblich höhere Spannung erzeugt?

Da es mich interessiert hat, habe ich den Rikamino nachgebaut - und es funktioniert auf Anhieb!

Allerdings hatte ich noch eine 2mm starke Teflonplatte vorrätig.
Sie dient als Träger für einen Kupferdraht mit Querschnitt 2.5mm2 von einem 230V Stromkabel.
Der Draht ist starr genug, um freistehend montiert zu werden.
Den 2N4117A hatte ich bei Mouser bestellt, kostet allerdings 18 Euro, geliefert in 5 Tagen!
Verwendet habe ich einen 2uF Tantal-Kondensator.
Einen Arduino Uno R3 hatte ich schon seit vielen Jahren unbenutzt im Schrank liegen.
Programmierung und Betrieb ist sehr einfach.

Interessiert bin ich am Vergleich zwischen Rikamino und Radoneye.               
Die erste Untergrundmessung hat knapp eine Stunde gedauert.

Vielen Dank für das interessante Projekt.

Zitat von: opengeiger.de am Heute um 08:19Der Trick mit dem JFET in der vorgestellten Schaltung für die Ionisationskammer besteht nämlich darin, dass das Gate sich nur bis 5V laden kann und wenn man dann den Source Anschluss auf Drainpotential bringt, dann baut sich die Sperrschicht am pn-Übergang als Isolator so weit ab, dass die Gate-Ladung abfliessen kann.

Was ich mir aber denken könnte, was zusammen mit einem MOSFET vielleicht geht, ist die Verwendung einer "ESD-Schutzdiode" mit sehr geringem Leckstrom, die man zum Messen in Sperrichtung vorpolt und zum Entladen dann umpolt. Aber im Grunde denommen hat man das im JFET ja inherent schon eingebaut, und es würde beim MOSFET unnötigen Schaltungsaufwand erzeugen. Bei CMOS ICs verwendet man solche ESD-Schutzdioden, die fest gegen Vss und Vdd gelegt sind, insbesondere um die Eingänge gegen zu hohe Spannungen zu schützen. Allerdings werden OPs mit CMOS Eingängen für Elektrometer Anwendungen nicht so gern benutzt, weil sie deutlich mehr rauschen als JFETs am Eingang.

Soviel meine 5 Cent zu dem Thema. 

Nun, daß in deiner Schaltung der Source igendwann auf +5V gezogen wird, kann ich nicht erkennen. Der Source geht ja nur auf einen Prozessoreingang. Selbst wenn Du den Eingang als Ausgang programmieren kannst wird an der Gatesperrschichtdiode nichts umgepolt. Die D/S Strecke ist ein steuerbarer Widerstand.
Du hast dann nur den Gateleckstrom zum entladen, was üblicherweise per Höchstohmwiderstände erfolgt, welcher beim SFET undeffiniert ist.

In den Schaltungen von industriell hergestellten Meßgeräten wird üblicherweise eim MOSFET oder eine Elektrometerröhre verwendet. Und die Ladungsableitung geschieht über Höchstohmwiderstände, die gleichzeitig die Meßbeiche ergeben.

Viele Grüße
Bernd

Danke für die Vorstellung und auch die Historie.
Den alten Steinbruch bzw. das wassergefüllte Loch an der Moritzburger Strasse wollte ich schon mal erkunden, allerdings scheint das alles Privatbesitz zu sein, ergo kein mir bekannter Zugang.
Mit dem RAYSID bin ich mal kurz vorbeigefahren, da fällt aber nicht viel auf.
Vielleicht mache ich am Vatertag mal einen Ausflug zum Schloss Lauben, zusammen mit dem RAYSID. ;-)

Gibt es eine grobe Vorstellung um welche Ströme ( pA , fA ) es sich handelt?