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#1
Ein wenig klarer wird die HV ja schon, aber Fragen bleiben.

Zur Simulation von hohen CPM habe ich direkt zwischen Anode und Kathode Widerstände von 100 ... 1000 MOhm und offen (=unendlich) angeschlossen. Die Tube habe ich verdunkelt wg deren Lichtempfindlichkeit. Dann habe ich die jeweils aktuelle Anoden-Spannung gemessen und die Pseudo-CPM berechnet wie im letzten Post.

Sie dürfen in diesem Board keine Dateianhänge sehen.

Nehmen wir die obersten 4 Einträge in der Legende. Alle 4 mit Freq=5000Hz und zunehmendem Duty Cycle von 24.25% ... 35%. Mit zunehmendem DC steigt die Spannung. Das scheint plausibel, denn der HV-Generator braucht Energie, und die mittlere Stromzufuhr, und somit Energie, steigt mit dem DC.

Alle Kurven verlaufen parallel. Aus den Kurven kann ich den Innenwiderstand berechnen, der bei den ersten 4 bei ziemlich genau 23 MOhm liegt. Über alle Messungen hinweg variiert der Innenwiderstand von 20 ... 26 MOhm. Ein hoher Wert also, aber durchaus ähnlich zu anderen Systemen im Counter Umfeld.

Die weiteren Kurven zeigen interessante jedoch unverständliche Ergebnisse der Frequenz (F) Variation. Die mittlere Strommenge ist bei festem Duty Cycle (DC) doch dieselbe, egal ob ich sie mit 1000 oder 10000Hz liefere? Der GC-01 scheint anderer Meinung zu sein, immerhin unterscheiden sich die HV bis zum Faktor 2! Kann jemand erklären, was da passiert?

Mit verschiedenen DC und F Kombinationen kann ich dieselben Spannungen erreichen, siehe #1 und #5 in der Legende. Keine der Kombinationen scheint aber "besser" zu sein, also niedrigeren Innenwiderstand zu liefern.

Und da alles linear und parallel ist gilt für jede Einstellung: pro CPM=10000 gibt es 50V Spannungsabfall. Für eine M4011 / J321 scheint mir ein guter Kompromiss #3 (5000Hz/31%) zu sein, welcher für eine Spannung von 470 runter bis 380V sorgt.

Derartige Spannungs-Vervielfacher Schaltungen sind üppig verbreitet. Doch technisch-wissenschaftliche Veröffentlichungen habe ich keine gefunden; alles im wesentlichen Wikipedia. Es muss doch Studien/Modelle geben, die Einfluss von F und DC beschreiben? Spielt die Schärfe der Flanke nicht auch eine Rolle, da die Induktionsspannung proportional zu dI/dt ist?


#2
Ich kenne auch nur größere Spannungen > 100 V. Mein kleiner Eigenbau hat 120 V bei einer Kammer mit 120 ccm. 10µSv/h erzeugen ~ 10fA. Ich hatte den ICL 8500A genommen und einen Hochohmwiderstand mit 10-11 Ohm, aber das ist schon viele Jahre her. Heute geht es besser. Allerdings funktioniert das Gerät noch wie es soll.
#3
Mich würde noch interessieren, welchen Einfluss die Kammerspannung hat. Mir erscheinen 20 Volt etwas wenig. Ich meine, in den kommerziellen Geräten mit Ionisationskammer ist ein Transverter drin, der eine erheblich höhere Spannung erzeugt?
#4
Da es mich interessiert hat, habe ich den Rikamino nachgebaut - und es funktioniert auf Anhieb!

Allerdings hatte ich noch eine 2mm starke Teflonplatte vorrätig.
Sie dient als Träger für einen Kupferdraht mit Querschnitt 2.5mm2 von einem 230V Stromkabel.
Der Draht ist starr genug, um freistehend montiert zu werden.
Den 2N4117A hatte ich bei Mouser bestellt, kostet allerdings 18 Euro, geliefert in 5 Tagen!
Verwendet habe ich einen 2uF Tantal-Kondensator.
Einen Arduino Uno R3 hatte ich schon seit vielen Jahren unbenutzt im Schrank liegen.
Programmierung und Betrieb ist sehr einfach.

Interessiert bin ich am Vergleich zwischen Rikamino und Radoneye.               
Die erste Untergrundmessung hat knapp eine Stunde gedauert.

Vielen Dank für das interessante Projekt.
#5
Zitat von: opengeiger.de am Heute um 08:19Der Trick mit dem JFET in der vorgestellten Schaltung für die Ionisationskammer besteht nämlich darin, dass das Gate sich nur bis 5V laden kann und wenn man dann den Source Anschluss auf Drainpotential bringt, dann baut sich die Sperrschicht am pn-Übergang als Isolator so weit ab, dass die Gate-Ladung abfliessen kann.

Was ich mir aber denken könnte, was zusammen mit einem MOSFET vielleicht geht, ist die Verwendung einer "ESD-Schutzdiode" mit sehr geringem Leckstrom, die man zum Messen in Sperrichtung vorpolt und zum Entladen dann umpolt. Aber im Grunde denommen hat man das im JFET ja inherent schon eingebaut, und es würde beim MOSFET unnötigen Schaltungsaufwand erzeugen. Bei CMOS ICs verwendet man solche ESD-Schutzdioden, die fest gegen Vss und Vdd gelegt sind, insbesondere um die Eingänge gegen zu hohe Spannungen zu schützen. Allerdings werden OPs mit CMOS Eingängen für Elektrometer Anwendungen nicht so gern benutzt, weil sie deutlich mehr rauschen als JFETs am Eingang.

Soviel meine 5 Cent zu dem Thema. 

Nun, daß in deiner Schaltung der Source igendwann auf +5V gezogen wird, kann ich nicht erkennen. Der Source geht ja nur auf einen Prozessoreingang. Selbst wenn Du den Eingang als Ausgang programmieren kannst wird an der Gatesperrschichtdiode nichts umgepolt. Die D/S Strecke ist ein steuerbarer Widerstand.
Du hast dann nur den Gateleckstrom zum entladen, was üblicherweise per Höchstohmwiderstände erfolgt, welcher beim SFET undeffiniert ist.

In den Schaltungen von industriell hergestellten Meßgeräten wird üblicherweise eim MOSFET oder eine Elektrometerröhre verwendet. Und die Ladungsableitung geschieht über Höchstohmwiderstände, die gleichzeitig die Meßbeiche ergeben.

Viele Grüße
Bernd



#6
Sachsen / Aw: Weinböhla: Ehemalige Radon...
Letzter Beitrag von miles_teg - Heute um 12:15
Danke für die Vorstellung und auch die Historie.
Den alten Steinbruch bzw. das wassergefüllte Loch an der Moritzburger Strasse wollte ich schon mal erkunden, allerdings scheint das alles Privatbesitz zu sein, ergo kein mir bekannter Zugang.
Mit dem RAYSID bin ich mal kurz vorbeigefahren, da fällt aber nicht viel auf.
Vielleicht mache ich am Vatertag mal einen Ausflug zum Schloss Lauben, zusammen mit dem RAYSID. ;-)
#7
Gibt es eine grobe Vorstellung um welche Ströme ( pA , fA ) es sich handelt?
#8
Zitat von: Radioquant98 am Gestern um 13:59Warum kein MOSFET? - geht es doch hier nicht um Impulse, sondern im Endeffekt um Gleichspannungsladung.


Diese Frage wollte ich aus meiner Sicht noch beantworten: Prinzipiell könnte man mit einem MOSFET Ladungen noch besser messen, da ja das Gateoxid wirklich ein Isolator ist und kein Sperrstrom vom Gate zum Kanal entstehen kann. Allerdings ist es ja so, dass man die Ladung dadurch auch schlecht wieder runterbekommt, wenn so ein "freischwebendes" (floating)  Gate mal geladen ist. Genau das aber wurde beim EPROM zur Datenspeicherung genutzt. Die ältere Generation erinnert sich daran vielleicht noch, das waren die Speicherbausteine für Mikrocontroller, die ein Quarz-Glasfenster im Gehäuse hatten und deswegen recht teuer waren. Und damit sind wir wieder bei der ionisierenden UV-Strahlung. Man konnte die gespeicherte Info auf den floating Gate MOSFETs eines EPROMs mit einer geeigneten UV-Lampe wieder löschen. Dazu hat man dann eine kleine Quecksilberdampf-Lampe benutzt, die eine deutliche 254nm Linie (4.9eV) hat. Das hat für eine ausreichenden Photoionisation des Gates gereicht um die Ladung wieder wegzubringen. Später konnte man die Oxide, in welche das Gate eingebettet war noch dünner machen und hat damit EEPROMs und Flash Speicher hergestellt, wo man dann das Löschen der Ladung dann mit Tunnelströmen hinbekommt. Aber in der Anwendung der Ionisationskammer wäre es schwierig, den einmal geladenen Draht, der am Gate eines MOSFETs angeschlossen wäre, wieder entladen zu bekommen. Der Trick mit dem JFET in der vorgestellten Schaltung für die Ionisationskammer besteht nämlich darin, dass das Gate sich nur bis 5V laden kann und wenn man dann den Source Anschluss auf Drainpotential bringt, dann baut sich die Sperrschicht am pn-Übergang als Isolator so weit ab, dass die Gate-Ladung abfliessen kann.

Was ich mir aber denken könnte, was zusammen mit einem MOSFET vielleicht geht, ist die Verwendung einer "ESD-Schutzdiode" mit sehr geringem Leckstrom, die man zum Messen in Sperrichtung vorpolt und zum Entladen dann umpolt. Aber im Grunde denommen hat man das im JFET ja inherent schon eingebaut, und es würde beim MOSFET unnötigen Schaltungsaufwand erzeugen. Bei CMOS ICs verwendet man solche ESD-Schutzdioden, die fest gegen Vss und Vdd gelegt sind, insbesondere um die Eingänge gegen zu hohe Spannungen zu schützen. Allerdings werden OPs mit CMOS Eingängen für Elektrometer Anwendungen nicht so gern benutzt, weil sie deutlich mehr rauschen als JFETs am Eingang.

Soviel meine 5 Cent zu dem Thema.   
#9
Sachsen / Weinböhla: Ehemalige Radon-Que...
Letzter Beitrag von Banev - Gestern um 23:40
Ich bin mir nicht ganz sicher, ob es als »strahlender Ort« durchgeht, denn die Quelle existiert nicht mehr und an der Oberfläche strahlt (fast) nichts. Aber da dieser Platz der nächstliegende war, der mir zum Thema »Radioaktivität« einfiel, war er auch der erste, den ich besuchte – neugierig darauf, was mein neu erstandener RadiaCode 102 dazu zu sagen hätte.
Viele der folgenden Angaben stammen von einer unweit der damaligen Radon-Quelle aufgestellten Informationstafel, durch die ich überhaupt erst darauf aufmerksam wurde; einiges stammt aus einem alten Reiseführer.


An der östlich oberhalb des Ortskerns von Weinböhla gelegenen Laubenhöhe, benannt nach dem ehemaligen Ortsteil Lauben, gab es bis in die 1920er Jahre am Rande der örtlichen, 1889 stillgelegten Plänerkalkbrüche eine Radon-Quelle. Die Abteilung Radiumforschung des Hüttenmännischen Institus der Bergakademie Freiberg hat diese Quelle am 29. August 1911 untersucht und eine Ergiebigkeit (Wasserführung) von ca. 20 l/min (selbst in einem trockenen Sommer wie dem von 1911 [2]) sowie eine Aktivität von 26 Mache-Einheiten (knapp 350 Bq/l) gemessen. [1] Der Wert lag damit höher als der bekannter damaliger Kurbäder wie Teplitz (22 ME) oder Franzensbad (8 ME) [2].

Über eine kommerzielle Nutzung der Quelle ist nichts bekannt. Eventuell hat das 1909 eröffnete Kurbad »Quisisana« [2], das nur ca. 300 m östlich lag, das Wasser für Bäder verwendet; in der Werbung der Einrichtung wird davon aber nichts erwähnt. Das Gebäude wurde 1964 abgerissen.
Die Quelle selbst existiert nicht mehr, sie wurde lt. der Infotafel beim Ausbau der oberhalb vorbeiführenden Laubenstraße (vermutlich Ende der 1920er Jahre) zugeschüttet. An der Stelle der ehemaligen Kalkbrüche, an deren Rand die Quelle lag, befinden sich heute Sportplätze; den frühesten Hinweis auf diese Art der Nutzung habe ich in einer Karte von 1937 gefunden.
1950 stieß die Wismut AG auf die Erwähnung der Quelle und führte dort Erkundungsbohrungen durch, die aber (zum Glück!) keinen Hinweis auf ein abbauwürdiges Vorkommen lieferten.


Wer sich darüber wundert, wie eine Radon-Quelle in einen Kalkbruch kommt: Die Plänerkalkschicht ist nur ca. 6–8 m stark, tiefer im Untergrund verläuft jedoch vermutlich ein Ausläufer der Scharfenberger Silbererzformation, der neben Silber und weiteren Erzen offenbar auch einen Anteil an Uran führt. Im ca. 800 m östlich gelegenen, 1961 stillgelegten und leider nicht mehr zugänglichen Syenitbruch an der Moritzburger Straße wurden u.a. Eisenerz, Bleiglanz, Zinkblende und sogar Kassiterit (Zinnstein) nachgewiesen.
Meißner Granit und Syenit enthalten zwar ebenfalls einen geringen Anteil Uran, dieser würde jedoch für eine Radon-Quelle der o.g. Aktivität nicht ausreichen.

Eine zweimalige Begehung der Umgebung mit dem RadiaCode 102 (im Gürtelholster) ergab an einigen Stellen der näheren Umgebung eine leicht über dem üblichen Wert für diese Gegend liegende ODL, allerdings nicht in der Nähe der Tafel; dort lag die ODL teilweise sogar leicht unter dem Durchschnitt.
Die Ursache der etwas erhöhten Werte – bis zu 0,22 µSv/h – liegt vermutlich in der Verwendung des in der Umgebung gebrochenen und ebenfalls leicht radioaktiven Granits bzw. Syenits im Unterbau der Straßen sowie den Mauern längs der Wege.

Zu den Tracks: Die Werte an der Farblegende sind als µR/h zu lesen, da die RadiaCode-App die DL in dieser Einheit als Höhenangabe in den GPX-Track exportiert. Angehängt habe ich außerdem ein überhöhtes Reliefbild, in dem die ehemaligen Kalkbrüche gut zu erkennen sind; der rote Punkt im Kreis markiert die ungefähre Lage der Quelle.

Die Abweichungen zwischen den beiden Tracks zeigen auch gut, dass solche quasi »im Vorbeigehen« aufgezeichneten ODL-Werte mit Vorsicht zu genießen sind; ein gutes Beispiel ist der vermeintliche Hotspot am westlichsten Punkt des zweiten Tracks, dem ich am Ende der Runde einen zweiten Besuch abstattete, ohne dass auch nur annähernd der Wert erreicht wurde, der ca. 40 Minuten zuvor aufgezeichnet wurde.

[1] M[ax] Weidig: Radioaktive Wässer in Sachsen (Teil IV), Bergakademie Freiberg, 1912.
[2] M. Freygang: Führer durch Weinböhla und seine Umgebung, Gemeinnütziger Verein und Hausbesitzerverein Weinböhla, 1912
#10
Der zuerst erwähnte Kleber Epple 33 ist lösungsmittelhaltig. Das könnte ein Problem sein.
Also werde ich den wohl doch nicht nehmen.