Zitat von: DL3HRT am Heute um 21:22Es wird eine Dosis von 4 mSv angegeben, also in etwa de doppelte durschnittliche Jahresdosis.

Effektive Dosis oder Organdosis?

Norbert

Es wird eine Dosis von 4 mSv angegeben, also in etwa de doppelte durschnittliche Jahresdosis.

Sodale, nach geraumer Zeit: ein kleines Update für die Radon Eye V3 Geräte und die ESP32 boards. (BugFix):

Siehe auch: "Darf es etwas Radon sein? Der Radon-Mess-Thread" #199

Was schätzt denn der Nuklearmediziner bei so einer Behandlung als effektive  Dosis ab? Man muss bei sowas doch Schaden und Nutzen abwägen. Ich hoffe bei der Untersungung überwiegt der Nutzen. Alles Gute!

Edited: hab was gefunden:
https://www.nuklearmedizin.de/leistungen/leitlinien/docs/031-037.pdf

Seite 7:  Daten aus der Literatur [3]. Bei Erwachsenen führt i.v.-Injektion der Standarddosis von 180 MBq zu einer Strahlenexposition (effektiven Dosis) von 4,3 mSv. Habt ihr das auch so gehört? Das ist nicht gerade wenig!

Für mich als medizinischem Laien ist das eine unglaubliche Dosis!
Auf alle Fälle aber wünsche ich Deiner Frau eine gute Besserung!
Viele Grüße
Carlos

Meine Frau hatte heute einen Termin zum DaTSCAN (https://en.wikipedia.org/wiki/DaT_scan). Dabei wird mit Iod-123 gearbeitet. Die injizierte Aktivität liegt im Bereich von 100 MBq.

Sechs Stunden nach Injektion des Präparats zeigte der RadiaCode-103 folgende Werte an. Das Gerät lag dabei auf dem Bauch.

Dosisleistung:
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Zählrate:
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Spektren folgen morgen.

Der ultimative Strahlungsdetektor Guide - Praktikum Nuklearchemie

Simons Chemiebaukasten

@silfox : Wenn Du den PN4117A bestellt hättest, dann hättest Du nur 3.40Euro bezahlt, den SMP 4117A gibts sogar für 2.73Euro, drum hatte ich geschrieben, dass sich der Preis je nach Gehäusetyp 2N, PN und SMP unterscheidet. Nur der 2N4117A  kostet 15.77Euro netto. Aber der 2N4117A hat auch einen Vorteil, er ist in einem hermetisch dichten Gehäuse untergebracht und man bekommt einen Pin um das Gehäuse an Masse zur Schirmung anzuschliessen. Aber es freut mich dass Deine Konstruktion auf Anhieb funktioniert hat. Ich muss zugeben, da ich noch nicht wusste, wie das ganze rauskommt, habe ich meinen Prototypen-Ansatz äusserst pragmatisch gemacht. Man kann es sicher besser und solider machen. Dein Ansatz ist sicher robuster. Was bekommst Du als Zeit für eine Nullmessung?

@Radioquant98 : Ich will Dich gewiss nicht von Deiner Meinung abbringen. Es ist halt so, dass das Gate durch den Ionisationsstrom nicht ganz auf 5V geht, vermutlich weil sich der Ionisationsstrom und der Sperrstrom ins Gate vorher die Waage halten.Wenn nun der Mikrocontroller auf Ausgang schaltet und den Source-Pin "High" legt, dann entspricht das 5V, daher liegt der Source kurzfristg höher als das Gate und das polt den Gate-Kanal pn-Übergang um und dadurch fliesst die Gate Ladung ab. So interpretiete ich das Geschehen. Man sieht das auch in der Simulation mit LTSpice sehr gut, wenn man mit hoher zeitlicher Auflösung simuliert und sich den Gatestrom zu dem Zeitpunkt genau in dem Bereich anschaut, wo der Source-Anschluss auf 5V geht. Da sieht man einen mehrere Ampere hohen Spike, der nach ein paar ns exponentiell abklingt. Dass dieser Entladungsstom in der von mir gezeigten  Simulation so hoch ist, liegt daran, dass ich den Mikrocontroller Ausgang über einen niederohmigen Switch an den Source schalte. In Realität ist dieser Strom durch den Mikrocontroller IO auf wenige mA begrenzt. Das reicht jedoch um Gate zu entladen. Aber mich würde es auch interessieren, ob es mit einem MOSFET auch geht. Vielleicht geht das sogar noch besser, wer weiß? Ich bin nur dieser Veröffentlichung mit dem JFET einfach gefolgt und da ist es ja auch genauso beschrieben. Und DG0MG hat einen Vorschlg von Charles Wenzel bei techlib gefunden, der im Prinzip dasselbe Frontend beschreibt. Daher war zumindest die Wahrscheinlichkeit gross, dass der JFET Ansatz relativ sicher geht. Aber das muss nicht heissen, dass ein MOSFET nicht auch geht! Versuche das doch mal!

@Peter-1 : Ich kanns mal mit höherer Spannung versuchen. Aber die 20V haben halt den Charme, dass man das sehr einfach mit zwei 9V Blocks hinbekommt und da der Strom ja suuuper klein ist, halten die Batterien ja quasi ewig. Und ein altes Laptop Netzteil mit 19V geht genauso, das hat man oft vom letzten ausrangierten Laptop übrig.

Ein wenig klarer wird die HV ja schon, aber Fragen bleiben.

Zur Simulation von hohen CPM habe ich direkt zwischen Anode und Kathode Widerstände von 100 ... 1000 MOhm und offen (=unendlich) angeschlossen. Die Tube habe ich verdunkelt wg deren Lichtempfindlichkeit. Dann habe ich die jeweils aktuelle Anoden-Spannung gemessen und die Pseudo-CPM berechnet wie im letzten Post.

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Nehmen wir die obersten 4 Einträge in der Legende. Alle 4 mit Freq=5000Hz und zunehmendem Duty Cycle von 24.25% ... 35%. Mit zunehmendem DC steigt die Spannung. Das scheint plausibel, denn der HV-Generator braucht Energie, und die mittlere Stromzufuhr, und somit Energie, steigt mit dem DC.

Alle Kurven verlaufen parallel. Aus den Kurven kann ich den Innenwiderstand berechnen, der bei den ersten 4 bei ziemlich genau 23 MOhm liegt. Über alle Messungen hinweg variiert der Innenwiderstand von 20 ... 26 MOhm. Ein hoher Wert also, aber durchaus ähnlich zu anderen Systemen im Counter Umfeld.

Die weiteren Kurven zeigen interessante jedoch unverständliche Ergebnisse der Frequenz (F) Variation. Die mittlere Strommenge ist bei festem Duty Cycle (DC) doch dieselbe, egal ob ich sie mit 1000 oder 10000Hz liefere? Der GC-01 scheint anderer Meinung zu sein, immerhin unterscheiden sich die HV bis zum Faktor 2! Kann jemand erklären, was da passiert?

Mit verschiedenen DC und F Kombinationen kann ich dieselben Spannungen erreichen, siehe #1 und #5 in der Legende. Keine der Kombinationen scheint aber "besser" zu sein, also niedrigeren Innenwiderstand zu liefern.

Und da alles linear und parallel ist gilt für jede Einstellung: pro CPM=10000 gibt es 50V Spannungsabfall. Für eine M4011 / J321 scheint mir ein guter Kompromiss #3 (5000Hz/31%) zu sein, welcher für eine Spannung von 470 runter bis 380V sorgt.

Derartige Spannungs-Vervielfacher Schaltungen sind üppig verbreitet. Doch technisch-wissenschaftliche Veröffentlichungen habe ich keine gefunden; alles im wesentlichen Wikipedia. Es muss doch Studien/Modelle geben, die Einfluss von F und DC beschreiben? Spielt die Schärfe der Flanke nicht auch eine Rolle, da die Induktionsspannung proportional zu dI/dt ist?

Ich kenne auch nur größere Spannungen > 100 V. Mein kleiner Eigenbau hat 120 V bei einer Kammer mit 120 ccm. 10µSv/h erzeugen ~ 10fA. Ich hatte den ICL 8500A genommen und einen Hochohmwiderstand mit 10-11 Ohm, aber das ist schon viele Jahre her. Heute geht es besser. Allerdings funktioniert das Gerät noch wie es soll.