Zitat von: DL8BCN am Gestern um 20:05Ok, Datenblätter findet man ja von beiden Typen. Weiß jemand, mit welcher Bezeichnung bzw. Abkürzung der Gate Leckstrom in den Datenblättern zu finden ist? Oder ob das gar nicht angegeben wird?
Ich habe den ,, Gate cutoff current" -IGss des BF245 gefunden.
Da steht <= 5nA. Ist stark temperaturabhängig.
Ok, beim SMP4117A steht -IGss: -1pA.
Wenn der Gate Reverse Current die richtige Bezeichnung ist, dann ist der SMP4117A wohl um einiges besser geeignet.
Zitat von: DL8BCN am Gestern um 15:38Was mich wundert ist, das so eine Ionisationskammer mit solch geringer Spannung funktioniert!
Das sollte doch um so besser gehen, je höher die Betriebsspannung ist.
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