Zitat von: opengeiger.de am 07. Mai 2024, 08:19Der Trick mit dem JFET in der vorgestellten Schaltung für die Ionisationskammer besteht nämlich darin, dass das Gate sich nur bis 5V laden kann und wenn man dann den Source Anschluss auf Drainpotential bringt, dann baut sich die Sperrschicht am pn-Übergang als Isolator so weit ab, dass die Gate-Ladung abfliessen kann.
Was ich mir aber denken könnte, was zusammen mit einem MOSFET vielleicht geht, ist die Verwendung einer "ESD-Schutzdiode" mit sehr geringem Leckstrom, die man zum Messen in Sperrichtung vorpolt und zum Entladen dann umpolt. Aber im Grunde denommen hat man das im JFET ja inherent schon eingebaut, und es würde beim MOSFET unnötigen Schaltungsaufwand erzeugen. Bei CMOS ICs verwendet man solche ESD-Schutzdioden, die fest gegen Vss und Vdd gelegt sind, insbesondere um die Eingänge gegen zu hohe Spannungen zu schützen. Allerdings werden OPs mit CMOS Eingängen für Elektrometer Anwendungen nicht so gern benutzt, weil sie deutlich mehr rauschen als JFETs am Eingang.
Soviel meine 5 Cent zu dem Thema.
Zitat von: Radioquant98 am 06. Mai 2024, 13:59Warum kein MOSFET? - geht es doch hier nicht um Impulse, sondern im Endeffekt um Gleichspannungsladung.
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